影响U盘读写速度不同的几大因素分析

大家都知道,U盘主要由主控芯片和flash芯片组成,所以影响U盘速度的因素也就分为主控芯片和flash芯片两方面。本文就为大家分析影响U盘读写速度不同的几大因素,希望对大家有所帮助!

速度达到80MB/s的USB3.0优盘

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速度达到160MB/s的优盘

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速度达到220MB/s以上的优盘

光从这些测试结果来看,差距确实是相当明显的。当然,不同优盘厂商的实力会对产品品质产生一定影响,但这并不是关键因素。这些产品之间产生的速度差关键还在于主控与芯片。不同的芯片稳定性、速度不一样,而不同的主控也决定着优盘的兼容性、速度以及是否实现量产等等问题。今天我们就一起来聊聊这两个大问题。

原因一:Flash芯片速度差别大

首先,就芯片问题来说,目前市场上存在着SLC、MLC以及TLC三种。SLC芯片优盘在速度上有明显的优势,充分显示了SLC芯片的强大性能。SLC芯片在载入速度以及数据传输速度上有着强大的优势,在能耗上SLC也要低于MLC。此外,由于SLC芯片可以保证十万次左右的稳定存取,因此它有着更长久的使用寿命。

MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势。与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大。

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SLC与MLC参数对比

TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,TLC架构正式问世后,1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低。在TLC成功推广的道路上,闪存大厂东芝与三星可是立下汗马功劳,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

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SLC、MLC、TLC对比

从上面的介绍中,我们看到SLC、MLC与TLC技术的优劣之处在哪,也可以得出这样一个结论:MLC是今后NAND Flash的发展趋势,就像CPU单核心、双核心、四核心一样,MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实现容量上的成倍跨越,直至更先进的架构问世。SLC的成本伤不起,TLC则更有可能引起数据的安全隐患,所以选择MLC的优盘更靠谱。

原因二:优盘主控影响很重要

说完芯片的问题,接下来我们说说主控的原理。就目前市场上的优盘产品主控有很多种,最常见的就是银灿、群联、擎泰、慧荣、联盛、鑫创、安国与芯邦主控。每一个主控都有自己的优势与劣势。很多网友都对优盘量产有很大兴趣,而每个主控的量产工具也有所不同。这门学问太深了,笔者目前也没搞清楚(很抱歉),所以就不详细说了。

银灿在2012年积极布局品牌系统厂市场以及大陆市场,同时针对新制程Flash推出新一代控制芯片IS903(双信道芯片),支持最新制程的21nm/20nm/19nm MLC型NAND Flash,以及 IS916EN(单信道芯片)支持最新制程的21nm/19nm TLC型的NAND Flash,让客户可以使用银灿提供的双信道芯片(IS903)开发中高阶高速产品,以及单信道芯片(IS916EN)开发低阶产品,来规划完整的产品线。现在很多极速USB3.0优盘选用银灿作为主控制器。

威刚S107选用银灿主控

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群联主控

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东芝MX高速优盘用鑫创主控

在所有主控中,群联PhISOn也应用很广泛。它的兼容性最好,量产成功率最高(99%),而且读写速度也几乎是最快的,群联主控的量产工具也是最多且最全面的。擎泰Skymedi与鑫创也是应用较为广泛的选择。

以上就是影响U盘读写速度不同的几大因素分析,现在大家已经了解了吧,希望对大家有所帮助!


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